碳化硅單晶制備技術(shù)的難點(diǎn)[ 02-15 10:16 ]

碳化硅單晶制備技術(shù)包括PVT法（物理氣相傳輸法）、溶液法和高溫氣相化學(xué)沉積法等，目前商用碳化硅單晶生長(cháng)均采用PVT法。PVT法制備碳化硅單晶的難度在于： ①碳化硅單晶生長(cháng)設備設計與制造技術(shù)。碳化硅長(cháng)晶爐是晶體制備的載體，也是晶體生長(cháng)核心技術(shù)中的熱場(chǎng)和工藝的重要組成部分。針對不同尺寸、不同導電性能的碳化硅單晶襯底，碳化硅長(cháng)晶爐需要實(shí)現高真空度、低真空漏率等各項性能指標，為高質(zhì)量晶體生長(cháng)提供適合的熱場(chǎng)實(shí)現條件。 ②碳化硅粉料合成過(guò)程中的環(huán)境雜質(zhì)多，難以獲得高純度的粉料；作為反應源的硅粉和碳粉反應不完全易造成

碳化硅防彈陶瓷的制備方法及工藝特點(diǎn)[ 02-13 09:13 ]

從陶瓷材料制備工藝的特點(diǎn)可以看出，目前工藝發(fā)展較為成熟的是反應燒結、無(wú)壓燒結和液相燒結，這3種燒結方式的生產(chǎn)成本較低，制備工藝較簡(jiǎn)單，實(shí)現大批量生產(chǎn)的可能性較高。熱壓燒結和熱等靜壓燒結相對來(lái)說(shuō)會(huì )受到產(chǎn)品尺寸的限制，生產(chǎn)成本較高，成熟性較低。超高壓燒結、微波燒結、放電等離子燒結和等離子束熔融法綜合來(lái)說(shuō)成熟性最低，是較為新穎的制備手段，但對于技術(shù)和設備的要求較高，需要投入的生產(chǎn)費用高，實(shí)現批量化的可行性較低，常用于實(shí)驗探索階段，對實(shí)際應用意義不大，較難實(shí)現產(chǎn)業(yè)化。

碳化硅防彈陶瓷仍面臨升級和突破發(fā)展[ 02-12 09:15 ]

盡管碳化硅的防彈潛力非常大，但單相陶瓷斷裂韌性、脆性差的問(wèn)題卻不容忽視。而現代科技的發(fā)展對防彈陶瓷的功能性與經(jīng)濟性提出了要求：多功能、高性能、輕質(zhì)、低成本和安全性。因此，專(zhuān)家學(xué)者們近年來(lái)希望通過(guò)微觀(guān)調節包括多元陶瓷體系復合、功能梯度陶瓷、層狀結構設計等來(lái)實(shí)現陶瓷的強韌化、輕量化和經(jīng)濟化，并且這樣的護甲相對于如今的裝甲重量輕，更好地提高了作戰單位的機動(dòng)性能。 功能梯度陶瓷即通過(guò)微觀(guān)設計組分材料性能呈規律性變化。比如硼化鈦與金屬鈦以及氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅與金屬鋁等金屬/陶瓷復合體系，性能沿厚度位置呈梯度

防彈陶瓷對材料性能有哪些要求[ 02-11 08:53 ]

因為陶瓷本身的脆性，其受到彈丸沖擊時(shí)發(fā)生斷裂而不是塑性變形。在拉伸載荷作用下，斷裂首先發(fā)生在非均質(zhì)處如孔隙和晶界上。因此，為使微觀(guān)應力集中降低到最小程度，裝甲陶瓷應當是孔隙率低（達理論密度值的99%）和細晶粒結構的高質(zhì)量陶瓷。 目前防彈陶瓷發(fā)展迅速，防彈陶瓷材料種類(lèi)眾多，這幾種最常用，包括氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅、硼化鈦等，其中以氧化鋁陶瓷(Al2O3)、碳化硅陶瓷(SiC)、碳化硼陶瓷(B4C)應用最廣。  

不同防彈陶瓷材料性能對比[ 02-09 08:45 ]

自21世紀以來(lái)，防彈陶瓷發(fā)展迅速，種類(lèi)較多，包括氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅、硼化鈦等，其中以氧化鋁陶瓷(Al2O3)、碳化硅陶瓷(SiC)、碳化硼陶瓷(B4C)應用最廣。氧化鋁陶瓷密度最高，但硬度相對較低，加工門(mén)檻較低，價(jià)格較低，依據純度分為85／90／95／99氧化鋁陶瓷，相應的硬度和價(jià)格也依次增高。 碳化硅陶瓷密度相對較低，硬度較高，屬于性?xún)r(jià)比較高的結構陶瓷，因此也是目前國內應用最廣的防彈陶瓷。 碳化硼陶瓷在這幾種陶瓷中密度最低，硬度最高，但同時(shí)其對加工工藝的要求也很高，需要高溫高壓燒結，因而成