眾所周知，SiC材料具有許多重要特性：其擊穿電場(chǎng)強度是硅材料的10倍左右，最高結溫可達600℃……因此，SiC器件結構具有天生的耐高溫能力，在真空條件下耐壓甚至可達400至600℃。SiCMOSFET自身?yè)p耗小，發(fā)熱量小，自身溫升相對較小。“SiC的導熱率比硅更好，（大約是硅的三倍），熔點(diǎn)更高（2830℃，而硅是1410℃），所以本質(zhì)上SiC的耐受溫度比硅高出很多。”所以，SiC更適合高溫工作環(huán)境。

2010年5月，一家頭部公司稱(chēng)其新技術(shù)顯著(zhù)提高了IGBT模塊壽命10倍，輸出功率可以增加25%，支持高達200℃結溫。如果硅器件也能夠這樣，我們也就不會(huì )在這里討論SiC結溫了。

事實(shí)上，150℃結溫仍是SiC目前的最高標準，175℃結溫等級剛開(kāi)始嶄露頭角，封裝也在準標準化階段，耐針對200℃乃至更高結溫對封裝材料和工藝的要求十分嚴苛，且必須根據片芯特征進(jìn)行定制設計，才能滿(mǎn)足更高的導熱和散熱性要求。

從應用角度看，MOSFET、IGBT，包括SiCMOSFET器件數據表載明的最高結溫就是175℃。最高結溫受芯片和封裝的影響。結溫從125℃提高到150℃，花了約20年時(shí)間；從150℃提高至175℃，又是差不多10年，業(yè)界曾認為到2020年，200℃器件就可以市場(chǎng)化，但是并沒(méi)有實(shí)現。

有沒(méi)有必要提高結溫？上面說(shuō)過(guò)，現在硅和SiC器件的最高結溫也就是175℃，是否有必要提高結溫呢？相關(guān)業(yè)內人士認為：“讓SiC方案的額定溫度超過(guò)175℃是實(shí)現產(chǎn)品差異化的重要因素。這需要增加SiC產(chǎn)品的安全工作區（SOA）。另一方面，由于缺乏可用的通用封裝材料，高額定溫度的封裝離實(shí)現還有很長(cháng)的路要走。”