高精度碳化硅陶瓷制品無(wú)模成型工藝[ 08-20 16:21 ]

雖然采用凝膠注模成型工藝可以實(shí)現復雜形狀陶瓷制品的近凈尺寸制備，但該工藝對模具要求高，在制備復雜大尺寸部件時(shí)需設計和制造模具，增加了時(shí)間成本和模具成本，一定程度上制約了該工藝在陶瓷結構件批量化生產(chǎn)中的應用。另一方面，對一些尺寸精度要求高的陶瓷部件，凝膠注模成型工藝則無(wú)法滿(mǎn)足其尺寸精度要求。 與傳統“自下而上”的無(wú)模成型工藝不同，陶瓷素坯加工工藝(Greenceramicmachining,GCM)是一種“自上而下”的工藝，其原理類(lèi)似金屬材料或木材的加工過(guò)程如車(chē)、

碳化硅陶瓷凝膠注模成型工藝[ 08-19 10:18 ]

凝膠注成型工藝是制備碳化硅陶瓷部件的基礎，該工藝是一種精細的膠態(tài)成型工藝(Colloidalprocessing)，可實(shí)現大尺寸、復雜結構坯體的高強度、高均勻性、近凈尺寸成型，陶瓷料漿制備是凝膠注模成型工藝中的關(guān)鍵環(huán)節之一。 就碳化硅在光刻機構件中的應用而言，分散良好、高穩定性水基碳/碳化硅料漿的制備是獲得優(yōu)質(zhì)、均勻結構碳/碳化硅坯體的前提。此外，料漿具有高的固相體積分數則可以有效減小陶瓷坯體干燥時(shí)的收縮，有利于實(shí)現陶瓷部件的近凈尺寸成型。相應地，陶瓷料漿的制備需要解決兩大難題：一是碳和碳化硅兩種陶瓷粉料在相

集成電路制造裝備用精密陶瓷結構件的特點(diǎn)[ 08-18 16:52 ]

集成電路制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備主要有包括光刻技術(shù)及光刻裝備、薄膜生長(cháng)技術(shù)及裝備、化學(xué)機械拋光技術(shù)及裝備、高密度后封裝技術(shù)及裝備等，均涉及高效率、高精度、高穩定性的運動(dòng)控制技術(shù)和驅動(dòng)技術(shù)，對結構件的精度和結構材料的性能提出了極高的要求。 以光刻機中工件臺為例，該工件臺主要負責完成曝光運動(dòng)，要求實(shí)現高速、大行程、六自由度的納米級超精密運動(dòng)，如對于100nm分辨率、套刻精度為33nm和線(xiàn)寬為10nm的光刻機，其工件臺定位精度要求達到10nm，掩模硅片同時(shí)步進(jìn)和掃描速度分別達到150nm/s和120nm/s，掩模掃描速度

固相燒結碳化娃(SSiC)優(yōu)缺點(diǎn)[ 08-16 14:41 ]

固相燒結碳化硅晶界較為“干凈”，高溫強度并不隨溫度的升高而變化，一般在溫度達1600℃強度不發(fā)生變化。固相燒結碳化硅主要缺點(diǎn)是需較高的燒結溫度(>2000℃)，對原材料的純度要求高，燒結體斷裂韌性較低，有較強的裂紋強度敏感性，在結構上表現為晶粒粗大且均勻性差，斷裂模式為典型的穿晶斷裂。 SSiC材質(zhì)的泵的軸、滑動(dòng)和密封環(huán)具有長(cháng)使用壽命的多項優(yōu)勢。在高工作溫度下也具有出色的耐化學(xué)性和耐腐蝕性。因此，SSiC是所有需要高耐磨性的領(lǐng)域的最佳陶瓷材料。京瓷可提供定制最大外徑達560毫米的大型精

如何實(shí)現碳化硅晶圓的高效低損傷拋光？[ 08-15 17:33 ]

SiC晶型結構特點(diǎn)使得SiC材料具有較高硬度與化學(xué)穩定性，導致在拋光過(guò)程中材料去除率較低，因此探索基于化學(xué)機械拋光基本工藝的輔助增效手段，對于實(shí)現SiC材料產(chǎn)業(yè)化應用和推廣具有重要的意義。 化學(xué)機械拋光輔助增效技術(shù)材料去除機理本質(zhì)是通過(guò)輔助增效技術(shù)手段來(lái)控制SiC表面較軟氧化層的形成并從力學(xué)上改善SiC氧化層材料的去除方式。目前拋光中的輔助增效手段主要有等離子輔助、催化劑輔助、紫外光輔助和電場(chǎng)輔助。 01等離子輔助工藝 等離子輔助拋光(PlasmaAssistedPolishing，PAP)工藝是