SiC器件IGBT模塊是否有必要提高結溫[ 02-06 09:51 ]

眾所周知，SiC材料具有許多重要特性：其擊穿電場強度是硅材料的10倍左右，最高結溫可達600℃……因此，SiC器件結構具有天生的耐高溫能力，在真空條件下耐壓甚至可達400至600℃。SiCMOSFET自身損耗小，發(fā)熱量小，自身溫升相對較小。“SiC的導熱率比硅更好，（大約是硅的三倍），熔點更高（2830℃，而硅是1410℃），所以本質上SiC的耐受溫度比硅高出很多。”所以，SiC更適合高溫工作環(huán)境。 2010年5月，一家頭部公司稱其新技術顯著提高了IGBT模

鋁碳化硅（AlSiC）材料的性能特性[ 01-23 09:06 ]

鋁碳化硅（AlSiC）材料具有以下性能特性： 1）AlSiC具有高導熱率（170～200W/mK）和可調的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K），可提升器件散熱性能的同時，其熱膨脹系數(shù)與半導體芯片和陶瓷基片實現(xiàn)良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產生，甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上； 2）AlSiC是復合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調整，因此電子產品可按用戶的具體要求而靈活地設計，這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無法作到的； 3）AlSiC的密度與鋁相當，比銅

鋁碳化硅AlSiC（SiCp/Al）材料制備方法與工藝的研究[ 01-22 09:11 ]

AlSiC（SiCp/Al）材料雖然具有優(yōu)異的力學與物理特性，但是實現(xiàn)高體積分數(shù)SiC的SiCp/Al材料的制備一直是制約該行業(yè)發(fā)展的難題。如何實現(xiàn)經濟、快速、高品質、低次品率的工業(yè)化生產，是SiCp/Al材料行業(yè)發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)。目前，SiCp/Al材料制備方法與工藝的研究，主要分為粉末冶金、攪拌熔鑄、共噴沉積、無壓滲透與壓力滲透五種。 目前SiCp/Al材料的五種制備方法均已有一定的研究成果，國外發(fā)展較早，按照地域主要分為美國、歐洲與日本三大技術開發(fā)中心，生產的SiCp/Al材料產品廣泛用于飛機、衛(wèi)星、導

碳化硅陶瓷3D打印成型結合反應燒結制備技術[ 01-18 15:41 ]

3D打印技術又稱增材制造技術，該技術基于離散－堆積原理，利用計算機程序將產品的三維模型分層處理，通過加熱或黏結的方式將原料逐層堆積形成立體形狀的坯體。 3D打印結合反應燒結制備工藝在復雜結構碳化硅陶瓷產品近凈尺寸成型方面具有巨大優(yōu)勢，可提高產品生產效率并降低生產成本，為制造復雜結構陶瓷提供了新的工藝方案。目前，3D打印成型的陶瓷坯體普遍存在表面質量差、尺寸精度低、燒結致密性偏低等問題，影響了3D打印技術在規(guī)模化工業(yè)生產的應用，未來需要繼續(xù)提高3D打印用陶瓷材料的制備水平和打印過程的控制精度，以便實現(xiàn)低成本、高

碳化硅陶瓷注漿成型結合反應燒結制備技術[ 01-17 15:39 ]

注漿成型技術多用于傳統(tǒng)陶瓷的制備，目前也在碳化硅窯具、噴嘴、熱交換器等復雜結構產品的制備過程中得到越來越多的應用。 注漿成型結合反應燒結工藝流程：將碳化硅粉、燒結助劑、去離子水、分散劑、黏結劑等混合制成碳化硅漿料，注入多孔模具，通過毛細管力將漿料中的水分逐漸吸出，沿模具內壁向內固化成坯體；當坯體厚度達到設定值后，倒出剩余漿料，一定時間后脫模得到碳化硅坯體，再經過干燥、修坯、燒結等工藝制得碳化硅陶瓷成品。 注漿成型工藝操作簡單、靈活性強、成本低，適于制造復雜結構的陶瓷產品。