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- 碳化硅器件工藝難點在哪里？[ 09-14 17:19 ]
- 襯底片完了之后就是長外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蝕，涂膠，沉積，清洗，離子注入等工藝，和硅工藝基本一致，然后就是后道的晶圓切die，封裝測試等，基本流程和硅差不多。 其中長外延，光刻膠，背面退火，刻蝕，以及氧化柵極工藝區(qū)別，歐姆接觸和硅工藝區(qū)別非常大。 硅的外延工藝就是普通的硅外延爐之類價格也很便宜國產的大約400-500萬一臺（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且價格非常貴，基本要800-1500萬人民幣一臺，而且產能很低，一臺爐子一個月產能是30片。 外延爐主要是國外
- 為什么碳化硅晶圓成本高？[ 09-13 16:14 ]
- 碳化硅的長晶技術大致有三種，PVT物理氣相傳輸法，HT-CVD高溫氣相沉積法，以及LPE溶液法。 其中PVT比較主流，優(yōu)點是簡單，可靠，成本可控。CVD對設備要求太高，價格很貴，只有高質量的半絕緣襯底會用這個方法；LPE溶液法能做天然P型襯底，但是缺陷很難控制，還需要時間積累，日本公司不少專注于這個路線。 以PVT法為例，這種方案下碳化硅生長速度只有硅材料生長速度的1/100都不到，144小時只有2cm左右的厚度，實在是太慢了，要想獲得更多的產量，只能靠長晶爐數(shù)量堆。 目前國外日新技研和PVATe
- 碳化硅現(xiàn)在面臨的缺點和掣肘是什么？[ 09-12 15:09 ]
- 碳化硅優(yōu)點很多，但是目前也僅僅是一個小汽車應用場景上使用，還是無法大規(guī)模替代硅功率器件，業(yè)內從技術和產業(yè)角度來理解有以下這些問題。 首先碳化硅這種材料，在自然界是沒有的，必須人工合成，結果必然是成本遠遠高于可以自然開采的材料，而且碳化硅升華熔點約2700度，且沒有液態(tài)，只有固態(tài)和氣態(tài)，因此注定不能用類似拉單晶的切克勞斯基法（CZ法）制備，因此第一步晶體生長技術卡住了第一步也是最關鍵的一步，導致原材料價格過于昂貴。 因此碳化硅6英寸襯底高達1000美金，而6英寸硅片為23美金（150元），兩者實在差太多了
- 碳化硅陶瓷在新能源領域的潛力[ 09-05 16:13 ]
- 碳化硅陶瓷是從20世紀60年代開始發(fā)展起來的一種先進陶瓷材料，由于具備化學性能穩(wěn)定、導熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、密度小、耐磨性能好、硬度大、機械強度高、耐化學腐蝕等特性，在精細化工、半導體、冶金、國防軍工等領域都有著廣泛的應用。 值得關注的是，在近年發(fā)展得如火如荼的鋰電池領域中，碳化硅陶瓷在其原料的制備環(huán)節(jié)上也同樣發(fā)揮著重要作用，如： ①磷酸鐵鋰正極材料的超細研磨 磷酸鐵鋰是目前廣泛使用的鋰電池正極材料之一。由于納米粒子可減小鋰離子嵌入脫出深度和行程，保證大電流放電時容量不衰減，因此“超
- 大面積碳化硅陶瓷膜層化學氣相沉積（CVD）技術[ 08-23 16:25 ]
- 光刻機等集成電路關鍵制造裝備中某些高性能光學元件對材料制備有著苛刻的要求，不僅要求材料具有高的穩(wěn)定性，還需滿足某些特定的光學性能要求。反應燒結碳化硅經拋光后其面型精度高，但是該材料是由碳化硅和游離硅組成的兩相材料，在研磨拋光等過程各相的去除速率不一致，無法達到更高的面型精度，因此無法滿足特定光學部件性能要求。 采用反應燒結碳化硅基體結合化學氣相沉積碳化硅(CVDSiC)膜層的方法制備高性能反射鏡，通過優(yōu)化先驅體種類、沉積溫度、沉積壓力、反應氣體配比、氣體流場、溫度場等關鍵工藝參數(shù)，可實現(xiàn)大面積、均勻CVDSi
