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- 哈爾濱科友半導體6英寸碳化硅襯底正式投產(chǎn)[ 08-25 11:37 ]
- 據粉體圈消息：8月18日，位于哈爾濱新區，投資10億元建設的科友第三代半導體產(chǎn)學(xué)研聚集區項目一期正式投產(chǎn)，預計年底全部達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)能10萬(wàn)片6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)能力。 據悉，哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司（科友半導體）成立于2018年，是一家專(zhuān)注于第三代半導體裝備研發(fā)、襯底制造、器件設計、技術(shù)轉移和科研成果轉化的國家級高新技術(shù)企業(yè)。去年7月，科友半導體產(chǎn)學(xué)研聚集區項目正式開(kāi)工建設。主要建設中俄第三代半導體研究院、中外聯(lián)合技術(shù)創(chuàng )新中心、科友半導體襯底制備中心、科友半導體高端裝備制造中心、國際
- 士蘭微啟動(dòng)6吋（150mm）SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設項目[ 08-24 10:28 ]
- 據粉體圈消息：7月30日，杭州士蘭微電子股份有限公司發(fā)布對外投資進(jìn)展公告，將啟動(dòng)化合物半導體第二期建設，即實(shí)施“SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設項目”，擬建設一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線(xiàn)，項目總投資為15億元，建設周期3年，最終形成年產(chǎn)14.4萬(wàn)片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能（主要產(chǎn)品為SiCMOSFET、SiCSBD）。 2017年12月，士蘭微與廈門(mén)半導體投資集團有限公司簽署了《關(guān)于化合物半導體項目之投資合作協(xié)議》，雙方共同投資設立了廈門(mén)士蘭明鎵化合物半導體有限公司（士蘭明鎵），在廈門(mén)
- 大面積碳化硅陶瓷膜層化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)[ 08-23 16:25 ]
- 光刻機等集成電路關(guān)鍵制造裝備中某些高性能光學(xué)元件對材料制備有著(zhù)苛刻的要求，不僅要求材料具有高的穩定性，還需滿(mǎn)足某些特定的光學(xué)性能要求。反應燒結碳化硅經(jīng)拋光后其面型精度高，但是該材料是由碳化硅和游離硅組成的兩相材料，在研磨拋光等過(guò)程各相的去除速率不一致，無(wú)法達到更高的面型精度，因此無(wú)法滿(mǎn)足特定光學(xué)部件性能要求。 采用反應燒結碳化硅基體結合化學(xué)氣相沉積碳化硅(CVDSiC)膜層的方法制備高性能反射鏡，通過(guò)優(yōu)化先驅體種類(lèi)、沉積溫度、沉積壓力、反應氣體配比、氣體流場(chǎng)、溫度場(chǎng)等關(guān)鍵工藝參數，可實(shí)現大面積、均勻CVDSi
- 碳化硅陶瓷反應連接技術(shù)[ 08-22 17:23 ]
- 全封閉、中空部件的制備一般采用連接工藝獲得，目前常用的陶瓷連接方法主要有釬焊、擴散焊等，但這些方法均存在工藝復雜、焊接料性能同碳化硅基體差別大等缺點(diǎn)，難以滿(mǎn)足光刻機等集成電路制造裝備對復雜結構部件的使用要求。 根據反應燒結碳化硅的工藝特點(diǎn)，將待粘接零部件進(jìn)行預處理，并通過(guò)粘接料對制品進(jìn)行粘接，隨后再進(jìn)行反應燒結，使制品的連接與反應燒結同步完成。通過(guò)調節粘接料的組分、控制連接工藝，可實(shí)現復雜結構部件的致密、高強度、無(wú)縫隙粘接。
- 高精度碳化硅陶瓷制品無(wú)模成型工藝[ 08-20 16:21 ]
- 雖然采用凝膠注模成型工藝可以實(shí)現復雜形狀陶瓷制品的近凈尺寸制備，但該工藝對模具要求高，在制備復雜大尺寸部件時(shí)需設計和制造模具，增加了時(shí)間成本和模具成本，一定程度上制約了該工藝在陶瓷結構件批量化生產(chǎn)中的應用。另一方面，對一些尺寸精度要求高的陶瓷部件，凝膠注模成型工藝則無(wú)法滿(mǎn)足其尺寸精度要求。 與傳統“自下而上”的無(wú)模成型工藝不同，陶瓷素坯加工工藝(Greenceramicmachining,GCM)是一種“自上而下”的工藝，其原理類(lèi)似金屬材料或木材的加工過(guò)程如車(chē)、
