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- 碳化硅功率器件的低雜散電感封裝技術(shù)介紹[ 09-01 16:56 ]
- 目前已有的大部分商用SiC器件仍采用傳統Si器件的封裝方式。傳統封裝技術(shù)成熟，成本低，而且可兼容和替代原有Si基器件。但傳統封裝結構導致其雜散電感參數較大，在碳化硅器件快速開(kāi)關(guān)過(guò)程中造成嚴重電壓過(guò)沖，也導致?lián)p耗增加及電磁干擾等問(wèn)題。 而雜散電感的大小與開(kāi)關(guān)換流回路的面積相關(guān)。其中，金屬鍵合連接方式、元件引腳和多個(gè)芯片的平面布局是造成傳統封裝換流回路面積較大的關(guān)鍵影響因素。消除金屬鍵合線(xiàn)可以有效減小雜散電感值，將其大小控制在5nH以下。下面就其中典型的封裝結構分別進(jìn)行介紹。 ①單管翻轉貼片封裝 阿肯
- 什么是SiCf/SiC復合材料[ 08-30 16:24 ]
- SiCf/SiC陶瓷基復合材料是指在SiC陶瓷基體中引入SiC纖維作為增強材料，形成以引入的SiC增強纖維為分散相，以SiC陶瓷基體為連續相的復合材料。SiCf/SiC陶瓷基復合材料保留了SiC陶瓷耐高溫、高強度、抗氧化、耐腐蝕、耐沖擊的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)兼具SiC纖維增強增韌作用，克服了SiC陶瓷斷裂韌性低和抗外部沖擊載荷性能差的先天缺陷。SiCf/SiC復合材料作為一種綜合性能優(yōu)異的高溫熱結構材料，在航空、航天、核能、汽車(chē)等領(lǐng)域具有廣泛的應用前景，成為目前各個(gè)西方國家的研究熱點(diǎn)。
- C/SiC陶瓷基復合材料應用[ 08-29 17:21 ]
- 碳纖維不僅具有密度低、比強度高、耐磨、耐腐蝕、導電、導熱、摩擦系數低等特性，而且還具備十分優(yōu)異的高溫力學(xué)性能，其在惰性氣氛、2000℃以上環(huán)境中，力學(xué)性能仍然不下降。但其高溫抗氧化性較差，因此通常與金屬、陶瓷、樹(shù)脂等復合，制備應用于航空航天、軍事工業(yè)等尖端技術(shù)領(lǐng)域的先進(jìn)復合材料。 在熱結構陶瓷基復合材料領(lǐng)域中，碳化硅以其優(yōu)異的高溫力學(xué)性能（強度、抗氧化性、抗蠕變性等）、低的熱膨脹系數和摩擦系數、優(yōu)良的導熱和導電性，成為基體材料的主要候選之一。然而SiC陶瓷的缺點(diǎn)是脆性較大。 C/SiC陶瓷基復合材料通過(guò)
- 牛津儀器推出新型SiC外延襯底化學(xué)機械拋光（CMP）解決方案[ 08-27 16:47 ]
- 據粉體圈整理消息：8月22日，牛津儀器（OxfordInstrumentsplc）旗下等離子技術(shù)公司（PlasmaTechnology）推出一種新型SiC外延襯底化學(xué)機械拋光（CMP）的替代解決方案——等離子拋光干法蝕刻（PPDE），它不僅更清潔、環(huán)保、低成本，并且更穩定。 CMP多年來(lái)一直是SiC襯底制備的最好選擇，但它存在不良率的頑疾，這在當前滿(mǎn)足SiC需求增長(cháng)十分不利。首先，CMP漿料存在一定毒性，晶圓廠(chǎng)的CMP流程會(huì )對環(huán)境造成很大影響，并且大量消耗水資源；其次，CMP所須的拋光
- 晶盛機電成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體[ 08-26 17:05 ]
- 8月12日消息，經(jīng)過(guò)晶體實(shí)驗室研發(fā)團隊半年多的技術(shù)攻關(guān)，晶盛首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，標志著(zhù)晶盛第三代半導體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時(shí)代，同時(shí)這也是晶盛在寬禁帶半導體領(lǐng)域取得的又一標志性成果。 據了解，此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。 在技術(shù)上，晶盛成功解決了8英寸晶體生長(cháng)過(guò)程中多個(gè)難點(diǎn)問(wèn)題，比如溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂、氣相原料分布等等。 此外，還破解了SiC器件成本中襯底占比過(guò)高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛
