三種生長(cháng)SiC單晶用SiC粉體制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)[ 09-08 17:45 ]

生長(cháng)SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過(guò)控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿(mǎn)足單晶生長(cháng)需要的SiC粉體；固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 目前合成單晶生長(cháng)用高純SiC的方法并不多，以CVD法和改進(jìn)的自蔓延合成法為主，其中氣相法合成的粉體多為納米級，生產(chǎn)效率低，無(wú)法滿(mǎn)足工業(yè)需求；同時(shí)，固相法制備過(guò)程的眾多雜質(zhì)中，N元素的含量一直

碳化硅晶圓生產(chǎn)用高純碳化硅粉制備方法[ 09-07 15:41 ]

生長(cháng)SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過(guò)控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿(mǎn)足單晶生長(cháng)需要的SiC粉體；固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 一、氣相法 1.化學(xué)氣相沉積法（CVD法） CVD法是通過(guò)氣體的高溫反應得到超細、高純的SiC粉體，其中Si源一般選擇SiH4和SiCl4等，C源一般選擇CH4、C2H2和CCl4等

碳化硅粉在碳化硅晶圓生產(chǎn)中的應用[ 09-06 16:39 ]

碳化硅晶圓的生產(chǎn)，是先要制備碳化硅襯底，目前其制備多采用改進(jìn)Lely法、高溫CVD法和溶液法，其中以改進(jìn)Lely法為主流。 Lely法，又稱(chēng)升華法，其基本原理是：在空心圓筒狀石墨坩堝中（最外層石墨坩堝，內置多孔石墨環(huán)），將具有工業(yè)級純度的碳化硅粉料投入坩堝與多孔石墨環(huán)之間加熱到2500℃，碳化硅在此溫度下分解與升華，產(chǎn)生一系列氣相物質(zhì)比如硅單晶、Si2C和SiC2等。由于坩堝內壁與多孔石墨環(huán)之間存在溫度梯度，這些氣相物質(zhì)在多孔石墨環(huán)內壁隨機生成晶核。但Lely法產(chǎn)率低，晶核難以控制，而且會(huì )形成不同結構，尺寸也

碳化硅功率器件的多功能集成封裝技術(shù)和散熱技術(shù)介紹[ 09-03 16:45 ]

碳化硅器件的出現推動(dòng)了電力電子朝著(zhù)小型化的方向發(fā)展，其中集成化的趨勢也日漸明顯。瓷片電容的集成較為常見(jiàn)，通過(guò)將瓷片電容盡可能靠近功率芯片可有效減小功率回路寄生電感參數，減小開(kāi)關(guān)過(guò)程中的震蕩、過(guò)沖現象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。 驅動(dòng)集成技術(shù)也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了SiC智能功率模塊(IPM)，將驅動(dòng)芯片以及相關(guān)保護電路集成到模塊內部，并用于家電等設備當中。此外，還有EMI濾波器集成，溫度、電流傳感器集成、微通道散熱集成等均有運用到碳化硅封裝設計當中。

碳化硅功率器件的高溫封裝技術(shù)介紹[ 09-02 17:02 ]

在進(jìn)行芯片正面連接時(shí)可用銅線(xiàn)替代鋁線(xiàn)，消除鍵合線(xiàn)與DBC銅層之間的熱膨脹系數差異，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。 錫片或錫膏常用于芯片和DBC板的連接，焊接技術(shù)非常成熟而且簡(jiǎn)單，通過(guò)調整焊錫成分比例，改進(jìn)錫膏印刷技術(shù)，真空焊接減小空洞率，添加還原氣體等可實(shí)現極高質(zhì)量的焊接工藝。但焊錫熱導率較低，且會(huì )隨溫度變化，并不適宜SiC器件在高溫下工作。此外，焊錫層的可靠性問(wèn)題也是模塊失效的一大原因。 燒結銀連接