碳化硅陶瓷換熱器的研究背景及現狀[ 04-11 15:11 ]

上世紀八十年代，國外曾用碳化硅化熱元件制作陶瓷換熱器。我國成都科技大學(xué)化機教研室八十年代研制碳化硅管高溫換熱器，并于1986年用于碳酸鉀工業(yè)生產(chǎn)。該換熱器主要換熱元件由碳化硅陶瓷材料組成，高溫煙氣在管外，被加熱氣體在管內，兩者呈錯流。碳化硅管可承受1540℃高溫，所以高溫煙氣可直接進(jìn)入換熱器中進(jìn)行交換。高溫煙氣有較大的輻射熱，而碳化硅管可以充分利用高溫氣體輻射傳熱和火焰輻射傳熱。該技術(shù)在碳酸鉀生產(chǎn)中應用，節能和增產(chǎn)都獲得明顯的效果。使用碳化硅管換熱器后，空氣預熱溫度從350℃提高到500℃，加快了干燥溫度，日產(chǎn)量由

碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能[ 03-22 16:17 ]

去年發(fā)布的“‘十四五’規劃和2035年遠景目標綱要”明確提出，我國將加速推動(dòng)以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體新材料新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，催生一批高速成長(cháng)的新材料企業(yè)。 作為第三代半導體代表材料，碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能。 力學(xué)性能：高硬度（克氏硬度為3000kg/mm2），可以切割紅寶石；高耐磨性，僅次于金剛石。 熱學(xué)性能：熱導率超過(guò)金屬銅，是Si的3倍，是GaAs的8～10倍，散熱性能好，對于大功率器件非常重要。 化學(xué)性能：耐腐蝕性非常

碳化硅陶瓷材料的防彈原理是什么[ 02-10 08:48 ]

在大家的印象里，陶瓷是易碎品。但經(jīng)過(guò)現代科技加工后，碳化硅陶瓷“搖身一變”，成為了一種堅硬、高強度的新材料，尤其是在對材料有特殊物理性能要求的防彈領(lǐng)域，碳化硅陶瓷更是大放異彩，成為非常熱門(mén)的防彈材料。 裝甲防護的基本原理是消耗射彈能量、使射彈減速并達到無(wú)害。絕大部分傳統的工程材料，如金屬材料通過(guò)結構發(fā)生塑性變形來(lái)吸收能量，而碳化硅陶瓷材料則是通過(guò)微破碎過(guò)程吸收能量。 碳化硅防彈陶瓷的吸能過(guò)程大致可分為3個(gè)階段。（1）初始撞擊階段：彈丸撞擊陶瓷表面，使彈頭變鈍，在陶瓷表面粉碎形成細

SiC反向恢復時(shí)間與Si MOSFET相比如何？[ 12-20 14:43 ]

SiCMOSFET與其硅對應物一樣，具有內部體二極管。體二極管提供的主要限制之一是不希望的反向恢復行為，當二極管關(guān)斷同時(shí)承載正正向電流時(shí)會(huì )發(fā)生這種情況。因此，反向恢復時(shí)間(trr)成為定義MOSFET特性的重要指標。圖2顯示了1000V基于Si的MOSFET和基于SiC的MOSFET的trr之間的比較。可以看出，SiCMOSFET的體二極管非常快：trr和Irr的值小到可以忽略不計，能量損失Err大大降低。

碳化硅如何實(shí)現比硅更好的熱管理？[ 12-20 14:41 ]

另一個(gè)重要參數是熱導率，它是半導體如何散發(fā)其產(chǎn)生的熱量的指標。如果半導體不能有效散熱，則器件可以承受的最大工作電壓和溫度會(huì )受到限制。這是碳化硅優(yōu)于硅的另一個(gè)領(lǐng)域：碳化硅的導熱率為1490W/mK，而硅的導熱率為150W/mK。