碳化硅器件工藝難點在哪里？[ 09-14 17:19 ]

襯底片完了之后就是長外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蝕，涂膠，沉積，清洗，離子注入等工藝，和硅工藝基本一致，然后就是后道的晶圓切die，封裝測試等，基本流程和硅差不多。 其中長外延，光刻膠，背面退火，刻蝕，以及氧化柵極工藝區(qū)別，歐姆接觸和硅工藝區(qū)別非常大。 硅的外延工藝就是普通的硅外延爐之類價格也很便宜國產(chǎn)的大約400-500萬一臺（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且價格非常貴，基本要800-1500萬人民幣一臺，而且產(chǎn)能很低，一臺爐子一個月產(chǎn)能是30片。 外延爐主要是國外

為什么碳化硅晶圓成本高？[ 09-13 16:14 ]

碳化硅的長晶技術(shù)大致有三種，PVT物理氣相傳輸法，HT-CVD高溫氣相沉積法，以及LPE溶液法。 其中PVT比較主流，優(yōu)點是簡單，可靠，成本可控。CVD對設(shè)備要求太高，價格很貴，只有高質(zhì)量的半絕緣襯底會用這個方法；LPE溶液法能做天然P型襯底，但是缺陷很難控制，還需要時間積累，日本公司不少專注于這個路線。 以PVT法為例，這種方案下碳化硅生長速度只有硅材料生長速度的1/100都不到，144小時只有2cm左右的厚度，實在是太慢了，要想獲得更多的產(chǎn)量，只能靠長晶爐數(shù)量堆。 目前國外日新技研和PVATe

碳化硅現(xiàn)在面臨的缺點和掣肘是什么？[ 09-12 15:09 ]

碳化硅優(yōu)點很多，但是目前也僅僅是一個小汽車應(yīng)用場景上使用，還是無法大規(guī)模替代硅功率器件，業(yè)內(nèi)從技術(shù)和產(chǎn)業(yè)角度來理解有以下這些問題。 首先碳化硅這種材料，在自然界是沒有的，必須人工合成，結(jié)果必然是成本遠遠高于可以自然開采的材料，而且碳化硅升華熔點約2700度，且沒有液態(tài)，只有固態(tài)和氣態(tài)，因此注定不能用類似拉單晶的切克勞斯基法（CZ法）制備，因此第一步晶體生長技術(shù)卡住了第一步也是最關(guān)鍵的一步，導致原材料價格過于昂貴。 因此碳化硅6英寸襯底高達1000美金，而6英寸硅片為23美金（150元），兩者實在差太多了

碳化硅陶瓷在新能源領(lǐng)域的潛力[ 09-05 16:13 ]

碳化硅陶瓷是從20世紀60年代開始發(fā)展起來的一種先進陶瓷材料，由于具備化學性能穩(wěn)定、導熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、密度小、耐磨性能好、硬度大、機械強度高、耐化學腐蝕等特性，在精細化工、半導體、冶金、國防軍工等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。 值得關(guān)注的是，在近年發(fā)展得如火如荼的鋰電池領(lǐng)域中，碳化硅陶瓷在其原料的制備環(huán)節(jié)上也同樣發(fā)揮著重要作用，如： ①磷酸鐵鋰正極材料的超細研磨 磷酸鐵鋰是目前廣泛使用的鋰電池正極材料之一。由于納米粒子可減小鋰離子嵌入脫出深度和行程，保證大電流放電時容量不衰減，因此“超

比亞迪等新能源車企扎堆布局碳化硅 產(chǎn)業(yè)迎來爆發(fā)式增長[ 06-21 11:30 ]

近期，新能源車企加快布局碳化硅（SiC）步伐，相關(guān)領(lǐng)域投資迎來密集落地。日前，新能源汽車龍頭比亞迪入股天域半導體，華為關(guān)聯(lián)公司深圳哈勃科技投資也于去年入股該公司。 資料顯示，天域半導體是國內(nèi)第一家獲得汽車質(zhì)量認證（IATF16949）的碳化硅半導體材料供應(yīng)鏈企業(yè)，目前正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關(guān)鍵技術(shù)。6月初，碳化硅功率器件公司深圳基本半導體宣布完成C2輪融資，由廣汽資本等機構(gòu)聯(lián)合投資。5月下旬，由理想汽車及三安光電共同出資組建的碳化硅車規(guī)芯片模組公司蘇州斯科半導體落戶蘇州。 作為第三代半導體材料的