中國首次實(shí)現碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn)，在以美、歐、日為主導的半導體領(lǐng)域形成突破。業(yè)內專(zhuān)家指出，這一突破有望緩解中國的能源危機。

  泰科天潤半導體科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品鑒定會(huì )暨新產(chǎn)品信息發(fā)布會(huì )20日在北京舉行。鑒定委員會(huì )認為該公司的量產(chǎn)工藝方法、產(chǎn)品性能達到了國際同類(lèi)產(chǎn)品的先進(jìn)水平。

  據悉，經(jīng)過(guò)兩年攻關(guān)，泰科天潤研發(fā)的碳化硅肖特基二極管多個(gè)產(chǎn)品已成功量產(chǎn)，產(chǎn)品涵蓋600V—3300V等中高壓范圍。其中，600V/10A、1200V/20A等產(chǎn)品成品率達到國際先進(jìn)水平。

  總經(jīng)理陳彤介紹，利用碳化硅單晶襯底和外延材料制作的電力電子器件可以在高電壓、大電流、高頻率環(huán)境下工作，“與傳統的硅器件相比，碳化硅電力芯片能夠大幅度減少電力設備體積和重量，能大幅降低各項設備系統的整體成本并提高系統的可靠性”。

  數據表明，屬于“寬禁帶”的第三代半導體的碳化硅，大功率在降低自身功耗的同時(shí)，提高系統其他部件的功效，可節能20%至90%。

  中國電器工業(yè)協(xié)會(huì )電力電子分會(huì )常務(wù)副理事長(cháng)肖向鋒指出，這一成果對于煤炭、石油等資源越發(fā)緊缺的中國具有現實(shí)意義。

  “為應對能源危機，國家提出節能減排，電能的輸送、分配都離不開(kāi)電力電子技術(shù)”，肖向鋒解釋說(shuō)，現有的電子技術(shù)基于半導體硅材料器件，但受制于硅材料的物理性能，器件功耗大。碳化硅器件的研發(fā)、生產(chǎn)無(wú)疑可解“燃眉之急”。

  “我國功率器件產(chǎn)業(yè)整體落后美、歐、日等發(fā)達國家，關(guān)鍵技術(shù)裝備基本依賴(lài)國外”，陳彤在受訪(fǎng)時(shí)說(shuō)，但在第三代半導體器件方面，國內研究機構和企業(yè)已有趕超之勢。

  他認為這得益于政府導向，國家863計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域以及科技支撐計劃能源領(lǐng)域在2014年度備選項目征集指南中指明，要開(kāi)展第三代半導體材料的關(guān)鍵技術(shù)、器件制備及研制電力電子芯片和器件等科研計劃。他們的“碳化硅電力電子器件產(chǎn)業(yè)化投資項目”也已被北京市海淀區向市科委推薦，申報“重大科技成果轉化落地培育”專(zhuān)項資金。

  肖向鋒亦提出三點(diǎn)要求，“提高自己團隊的技術(shù)水平，提高研發(fā)能力，健全生產(chǎn)線(xiàn)”。他希望以此為契機，將預計達千億元規模的中國碳化硅器件產(chǎn)業(yè)做起來(lái)。