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- SiC外延生長(cháng)常見(jiàn)元素[ 04-18 16:40 ]
- SiC外延生長(cháng)：常見(jiàn)元素 襯底： •用于電力電子的4H多型 •當前晶圓直徑150mm和200mm •定向4°離軸 •雙面拋光 •在晶片的硅面上生長(cháng)的外延 •需要對硅表面進(jìn)行仔細的化學(xué)機械拋光(cmp)以減少缺陷 生長(cháng)參數： •溫度~1650oC •壓力~50-100mbar •硅源 •碳源 •摻雜氣體 •C
- SiC相對于Si器件的優(yōu)勢[ 04-17 15:34 ]
- SiC相對于Si器件的優(yōu)勢： •SiC的寬帶隙允許更薄的外延層來(lái)阻擋給定的電壓 •較薄的漂移層降低了整體器件電阻 •更高的電子飽和速度允許更高頻率的運行 •SiC的高導熱性允許器件在>200C的高溫下運行
- SiC的不同晶體結構[ 04-16 13:30 ]
- 由于Si與C雙原子層堆積序列的差異會(huì )導致不同的晶體結構，SiC有著(zhù)超過(guò)200種（目前已知）同質(zhì)多型族。 其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC（碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能）。 最常用的多型是： 4H-SiC——功率集成電路應用 6H-SiC——射頻應用 在不同的晶面上生長(cháng)不同的晶錠多型體： 4H-SiC——在碳(C)面晶種上生長(cháng) 6H-SiC&
- 士蘭微：6寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線(xiàn)預計今年Q3通線(xiàn)[ 04-15 17:26 ]
- 近日，士蘭微在接受機構調研時(shí)表示，SiC生產(chǎn)線(xiàn)目前還是中試線(xiàn)。公司已著(zhù)手在廈門(mén)士蘭明鎵公司建設一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線(xiàn)，預計在2022年三季度實(shí)現通線(xiàn)。 據了解，士蘭微2022年營(yíng)收主要增長(cháng)點(diǎn)主要是IPM模塊、PIM模塊、MEMS傳感器、AC-DC電路、DC-DC電路、手機快充芯片、PoE電路、IGBT、MOSFET、FRD等產(chǎn)品。士蘭微表示，未來(lái)公司對集成電路板塊的規劃和戰略的重點(diǎn)會(huì )放在車(chē)規和工業(yè)級電源管理產(chǎn)品、功率IC、信號鏈和混合信號處理電路、MEMS傳感器等。
- 碳化硅半導體市場(chǎng)大爆發(fā)[ 04-14 16:21 ]
- 據yole介紹，受汽車(chē)應用的強勁推動(dòng)，尤其是在EV主逆變器方面的需求，sic市場(chǎng)高速增長(cháng)。 據報告，繼特斯拉采用SiC后，2020年和2021年又有多款新發(fā)布的EV和公告。此外，特斯拉創(chuàng )紀錄的出貨量幫助SiC器件在2021年達到10億美元的規模。他們指出，為了滿(mǎn)足長(cháng)續航的需求，800VEV是實(shí)現快速直流充電的解決方案。這就是1200VSiC器件發(fā)揮重要作用的地方。 根據報告，截至2022年，比亞迪的Han-EV和現代的Ioniq-5通過(guò)提供快速充電功能獲得了不錯的銷(xiāo)量。Nio、Xpeng等更多OEM計劃
