SiC的構成單元為Si與C原子比為1:1的正四面體，在SiC晶格中，Si與C之間的平均鍵能為300kJ/mol，共價(jià)鍵與離子鍵比值約為4:1，這使得其難以燒結成致密陶瓷。阻礙SiC陶瓷燒結的因素有以下兩個(gè)方面：

①熱力學(xué)方面

SiC的晶界能較高，粉體顆粒表面能相對較低，SiC陶瓷燒結推動(dòng)力低，燒結難度增大。目前可通過(guò)引入燒結助劑、選用納米級原料細粉及施加外部壓力的方式來(lái)促進(jìn)燒結。

②動(dòng)力學(xué)方面

SiC晶格原子間的鍵能使得物質(zhì)遷移所需能量高，物質(zhì)難以擴散，而蒸發(fā)—凝聚傳質(zhì)至少需要蒸氣壓10-1Pa才能有效果，因此很難通過(guò)蒸發(fā)—凝聚傳質(zhì)促進(jìn)SiC材料燒結。目前，可通過(guò)燒結助劑的添加加快SiC質(zhì)量傳遞速率或生成一定數量的液相來(lái)實(shí)現流動(dòng)傳質(zhì)。