工業(yè)上合成碳化硅多以石英砂、石油焦（無(wú)煙煤）為主要原料，在電爐內(nèi)溫度在2000~2500℃下，通過(guò)下列反應(yīng)式合成：

Si02+3C→SiC+2CO

食鹽的目的是為了排除原料的鐵、鋁等雜質(zhì)，加入木屑是便于排除生成的一氧化碳。

采用混料機(jī)混料，裝料順序是在爐底先鋪上一層未反應(yīng)料，然后添加新配料到一定高度（約爐芯到爐底的二分之一），在其上面鋪一層非晶形料，然后繼續(xù)加配料至爐芯水平。

爐芯放在配料制成的底盤(pán)上，中間略凸起以適應(yīng)在爐役過(guò)程中出現(xiàn)的塌陷。爐芯上部鋪放混好的配料，同時(shí)也放非晶質(zhì)料或生產(chǎn)未反應(yīng)料，爐子裝好后形成中間高、兩邊低（與爐墻平）。

爐子裝好后即可通電合成，以電流電壓強(qiáng)度來(lái)控制反應(yīng)過(guò)程。當(dāng)爐溫升到1500℃時(shí)，開(kāi)始生成β-SiC,從2100℃開(kāi)始轉(zhuǎn)化成α-SiC，2400℃全部轉(zhuǎn)化成α-SiC。合成時(shí)間為26~36h,冷卻24h后可以澆水冷卻，出爐后分層、分級(jí)揀選。破碎后用硫酸酸洗，除掉合成料中的鐵、鋁、鈣、鎂等雜質(zhì)。