1974年美國GE公司通過在高純度β－SiC細粉中同時加入少量的Ｂ和Ｃ，采用無壓燒結工藝，于2020℃成功地獲得高密度碳化硅陶瓷。目前，該工藝已成為制備碳化硅陶瓷的主要方法。美國GE公司研究者認為：晶界能與表面能之比小于1.732是致密化的熱力學條件，當同時添加Ｂ和Ｃ后，Ｂ固溶到SiC中，使晶界能降低，Ｃ把SiC粒子表面的SiO2還原除去，提高表面能，因此Ｂ和Ｃ的添加為ＳｉＣ的致密化創(chuàng)造了熱力學方面的有利條件。以α－SiC為原料，同時添加Ｂ和Ｃ，也同樣可實現(xiàn)SiC的致密燒結。
  研究表明：單獨使用Ｂ和Ｃ作添加劑，無助于碳化硅陶瓷充分致密。只有同時添加Ｂ和Ｃ時，才能實現(xiàn)碳化硅陶瓷的高密度化。為了碳化硅的致密燒結，碳化硅粉料的比表面積應在10㎡/g以上，且氧含量盡可能低。Ｂ的添加量在0.5％左右，Ｃ的添加量取決于SiC原料中氧含量高低，通常Ｃ的添加量與SiC粉料中的氧含量成正比。