CVD法制備碳化硅纖維最早是在1972年由美國的AVCO公司研發(fā)，也是早期生產(chǎn)碳化硅纖維復合長(cháng)單絲的方法。化學(xué)氣相沉積法制備碳化硅纖維的基本原理就是在連續的鎢絲或碳絲芯材上沉積碳化硅。該方法的制備過(guò)程中，利用碳絲更為合適。一方面，碳的質(zhì)量比鎢的質(zhì)量小，可以制得更輕的碳化硅纖維；另一方面，鎢與碳化硅會(huì )發(fā)生化學(xué)反應，使得在高溫環(huán)境下碳化硅纖維的強度變差。在碳絲上沉積碳化硅能夠得到更穩定的碳化硅纖維及其復合材料。

　　CVD法制備的碳化硅纖維的純度比較高，因此纖維在高溫下的強度、抗蠕變、穩定性等性能良好。但是，與先驅體轉化法相比，CVD法制備的碳化硅纖維直徑較大，無(wú)法進(jìn)行編織，因此在利用纖維制成復合材料時(shí)比較困難。

　　美國AVCO公司于1985年被美國TEXTRON SYSTEMS公司收購，目前TEXTRON SYSTEMS公司是世界上研發(fā)利用CVD法制備碳化硅纖維及其復合材料最著(zhù)名公司之一，它的代表性產(chǎn)品是SCS系列。早在1990年，我國中國科學(xué)院金屬研究所的石南林等研制出采用射頻加熱的方式，以CVD法制備出連續碳化硅纖維。該研究在碳化硅纖維的表面涂上一層保護層，緩解了碳化硅纖維的表面損傷敏感性，從而提高了纖維的性能。隨后，1996年中國科學(xué)院山西煤炭化學(xué)研究所的鄭敏等也利用類(lèi)似的方法成功制得碳化硅纖維，并分析了制備過(guò)程中不同參數對制成碳化硅纖維的性能的影響。由于利用CVD法制備碳化硅纖維的設備成本較高，并且生產(chǎn)效率較低，該方法在實(shí)現碳化硅纖維工業(yè)化生產(chǎn)的過(guò)程中逐漸被淘汰。