碳化硅晶片生產(chǎn)流程及清洗技術(shù)
碳化硅晶片經(jīng)過(guò)清洗可以有效去除表面沾污和雜質(zhì)，同時(shí)保證不引入新的雜質(zhì)，從而使最終的碳化硅晶片產(chǎn)品滿(mǎn)足半導體下游客戶(hù)的要求。
傳統的硅襯底材料使用RCA標準清洗方法來(lái)去除材料表面的污染，但是碳化硅是一種極性晶體，表面帶有一定的電荷，吸附污染物后變得更加難以清洗。
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