碳化硅長(cháng)晶爐是晶體制備的載體，也是晶體生長(cháng)核心技術(shù)中的熱場(chǎng)和工藝的重要組成部分。針對不同尺寸、不同導電性能的碳化硅單晶襯底，碳化硅長(cháng)晶爐需要實(shí)現高真空度、低真空漏率等各項性能指標，為高質(zhì)量晶體生長(cháng)提供適合的熱場(chǎng)實(shí)現條件。

碳化硅單晶生長(cháng)熱場(chǎng)是碳化硅單晶生長(cháng)的核心，決定了單晶生長(cháng)中溫度的軸向和徑向梯度、氣相流場(chǎng)等關(guān)鍵反應條件。熱場(chǎng)的配置核心是設置合理的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度，以保證熱場(chǎng)內生長(cháng)的晶體具有較小的原生內應力，同時(shí)具備合理可控的生長(cháng)速率。