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實(shí)現強國夢(mèng) 突破碳化硅半導體技術(shù)

文章出處:原創(chuàng )網(wǎng)責任編輯:劉坤尚作者:黃丹丹人氣:-發(fā)表時(shí)間:2014-10-09 16:29:00【

  美國總統奧巴馬兩次訪(fǎng)問(wèn)美國碳化硅半導體的領(lǐng)軍企業(yè),不久前更是親自發(fā)起成立美國碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟,設立專(zhuān)項資金支持全產(chǎn)業(yè)鏈快速突破發(fā)展。1.4億美元的總支持額用于提升美國在該新興產(chǎn)業(yè)方面的國際競爭力。日本政府則將發(fā)展碳化硅半導體技術(shù)列入“首相計劃”,認為未來(lái)日本50%以上的節能將由碳化硅實(shí)現。
  碳化硅半導體材料在提高性能裝備、增強國防實(shí)力方面也有著(zhù)重要作用.碳化硅基數波器件襯底材料與氮化鎵結合,用在雷達、通訊商其微波輸出功率密度是砷化鎵的10倍以上,工作頻率達到100GHz以上,被廣泛應用于艦船、航空航天、精確制導。
  山東金蒙新材料在國家主導下加快應用的開(kāi)發(fā),在第三代半導體產(chǎn)業(yè)上奮力趕超國家,研發(fā)鋰電池負極材料碳化硅,打造中國“芯”,實(shí)現中國夢(mèng)。

此文關(guān)鍵字:碳化硅 電池負極材料
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