目前碳化硅單晶的生長(cháng)方法主要包括以下三種：液相法、高溫化學(xué)氣相沉積法、物理氣相傳輸法（PVT）。其中PVT法是目前SiC單晶生長(cháng)研究最多、最成熟的技術(shù)，其技術(shù)難點(diǎn)在于：

（1）碳化硅單晶在2300°C以上高溫的密閉石墨腔室內完成“固-氣-固”的轉化重結晶過(guò)程，生長(cháng)周期長(cháng)、控制難度大，易產(chǎn)生微管、包裹物等缺陷。

（2）碳化硅單晶包括200多種不同晶型，但生產(chǎn)一般僅需一種晶型，生長(cháng)過(guò)程中易產(chǎn)生晶型轉變造成多型夾雜缺陷，制備過(guò)程中單一特定晶型難以穩定控制，例如目前主流的4H型。

（3）碳化硅單晶生長(cháng)熱場(chǎng)存在溫度梯度，導致晶體生長(cháng)過(guò)程中存在原生內應力及由此誘生的位錯、層錯等缺陷。

（4）碳化硅單晶生長(cháng)過(guò)程中需要嚴格控制外部雜質(zhì)的引入，從而獲得極高純度的半絕緣晶體或定向摻雜的導電型晶體。對于射頻器件使用的半絕緣碳化硅襯底，電學(xué)性能需要通過(guò)控制晶體中極低的雜質(zhì)濃度及特定種類(lèi)的點(diǎn)缺陷來(lái)實(shí)現。