美工程師成功研制出高性能碳納米管晶體管
金蒙新材料近日獲悉,美國威斯康辛麥迪森大學(xué)的材料工程師們最近在美國化學(xué)學(xué)會(huì )主辦的《Nano》期刊上發(fā)表文章稱(chēng)他們在創(chuàng )建更高性能的電子產(chǎn)品、獲得更長(cháng)壽命的電池和彎曲伸展能力方面取得了顯著(zhù)進(jìn)展,成功制作出碳納米晶體管比之前最好的碳納米管晶體管的性能要優(yōu)越得多,開(kāi)關(guān)比是后者的1000倍、導電系數是后者的100倍。
碳納米管是碳的單原子薄片卷成的納米筒,跟碳化硅一樣是迄今發(fā)現的最好的半導體材料之一,它長(cháng)久以來(lái)一直被認為是下一代晶體管的替代材料。碳納米管是非常強韌并且具有柔性的材料,可以用于制造柔性顯示器和可以拉伸彎曲的電子設備,這項技術(shù)進(jìn)展使那些不可能用現有脆性材料制造的新型電子設備成為可能。
目前,碳化硅作為國際公認的第三代半導體材料,是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件理想的襯底材料。利用碳化硅單晶襯底和外延材料制作的電力電子器件可以在高電壓、大電流、高頻率環(huán)境下工作,具有非常優(yōu)秀性能。
此文關(guān)鍵字:碳化硅
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