納米級碳化硅具有高的禁帶寬度，高的臨界擊穿電場和熱導(dǎo)率，小的介電常數(shù)和較高的電子飽和遷移率，以及抗輻射能力強(qiáng)，機(jī)械性能好等特性，成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的電子和光電子器件的理想材料。尤其是納米級碳化硅用于無壓燒結(jié)陶瓷制品領(lǐng)域，在增強(qiáng)陶瓷基、金屬基和聚合物基復(fù)合材料方面，表現(xiàn)出良好的機(jī)械性能。金蒙新材料所生產(chǎn)的納米級碳化硅產(chǎn)品具有純度高，SiC含量可達(dá)99%以上、粒徑分布范圍小、高比表面積等特點(diǎn)。同時(shí)還具有化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好等特點(diǎn)。其顯微硬度為2840～3320kg/mm2, 其硬度介于剛玉和金剛石之間, 機(jī)械強(qiáng)度高于剛玉；納米碳化硅具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，還是一種半導(dǎo)體，高溫時(shí)能抗氧化。