近二十年來(lái)碳化硅半導體材料開(kāi)始被行內人士重視，因為它有許多優(yōu)勢。早在上世記50年代，在黃昆、謝希德合著(zhù)的“半導體物理學(xué)”著(zhù)作中已介紹了半導體碳化硅。最早進(jìn)入制作半導體器件的材料是鍺，隨后，硅和三、五族半導體材料登上了歷史舞臺。直至如今電力電子領(lǐng)域的晶閘管和IGBT等高壓、大電流器件仍是使用硅單晶材料。由于碳化硅器件設計理論有所突破，人們對更高性能的大功率半導體器件的期望也越來(lái)越迫切。世界不少大型半導體公司紛紛開(kāi)發(fā)降低碳化硅器件溝道電阻并且降低整個(gè)器件功耗的技術(shù)。目前,低功耗的碳化硅器件已經(jīng)從實(shí)驗室進(jìn)入了實(shí)用器件生產(chǎn)階段，通過(guò)不斷的研究開(kāi)發(fā),碳化硅器件將主宰功率器件的市場(chǎng)。