金蒙新材從相關(guān)行業(yè)平臺獲悉：近期，美國加州大學(xué)的一個(gè)研究團隊的專(zhuān)家們通過(guò)研究發(fā)現，二硫化鉬(MoS2)半導體材料很可能會(huì )取代碳化硅和氮化鎵等傳統半導體材料成為制造極端溫度下應用的薄膜晶體管新的候選材料。

　　眾所周知，輝鉬礦作為二硫化鉬的礦物，是一種豐富的天然材料，通常被用作潤滑油添加劑。由化學(xué)氣相沉積合成的二硫化鉬已被發(fā)現是一種用于生產(chǎn)柔性薄膜晶體管的很有前途的材料。

　　薄膜晶體管是像一個(gè)水龍頭一般可以控制電子的運動(dòng)和電流的設備。寬帶隙有利于高溫應用，由于一個(gè)單層二硫化鉬的帶隙比碳化硅和砷化鎵的帶隙要寬，這意味著(zhù)一個(gè)器件可以很容易地打開(kāi)和關(guān)閉，這也是晶體管運作的關(guān)鍵屬性。

　　相比由基于諸如碳化硅、氮化鎵等傳統寬帶半導體制得的電子器件，二硫化鉬依然保留著(zhù)延升到高溫工作的可能性，但對于大量應用而言，目前尚未成熟。