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半絕緣型碳化硅襯底的主要應(yīng)用

文章出處:粉體網(wǎng)網(wǎng)責(zé)任編輯:作者:山川人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-03-24 16:23:00【

半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造氮化鎵射頻器件。通過(guò)在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層,制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進(jìn)一步制成氮化鎵射頻器件。碳化硅基氮化鎵射頻器件已成功應(yīng)用于眾多領(lǐng)域,以無(wú)線通信基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防應(yīng)用為主。無(wú)線通信基礎(chǔ)設(shè)施方面,5G具有大容量、低時(shí)延、低功耗、高可靠性等特點(diǎn),要求射頻器件擁有更高的線性和更高的效率。相比砷化鎵和硅基LDMOS射頻器件,以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時(shí)具有碳化硅良好的導(dǎo)熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢(shì),能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能,成為5G基站功率放大器的主流選擇。在國(guó)防軍工領(lǐng)域,碳化硅基氮化鎵射頻器件已經(jīng)代替了大部分砷化鎵和部分硅基LDMOS器件,占據(jù)了大部分市場(chǎng)。

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