近年來(lái)，新能源汽車(chē)遭遇的技術(shù)瓶頸主要是如何進(jìn)一步提升車(chē)輛的經(jīng)濟性。為此，全球汽車(chē)行業(yè)已向碳化硅（SiC）制成的芯片行業(yè)投資數十億美元，皆因業(yè)界認為這類(lèi)技術(shù)可以幫助他們制造高性能電動(dòng)汽車(chē)。

近期，安森美（onsemi）宣布全球汽車(chē)創(chuàng )新企業(yè)蔚來(lái)（NIOInc.）為其下一代電動(dòng)車(chē)（EV）選用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模塊。這種以碳化硅為基礎的功率模塊能使電動(dòng)車(chē)的續航里程更遠、能效更高，加速度也更快。兩家公司合作加快SiC技術(shù)商業(yè)化的進(jìn)程，為市場(chǎng)帶來(lái)配備先進(jìn)半導體材料的電動(dòng)車(chē)。

據悉，這次設計合作是安森美為開(kāi)發(fā)適用于智能電動(dòng)車(chē)等新興應用技術(shù)的精力結晶成果。VE-TracDirectSiC采用了安森美的第二代SiCMOSFET技術(shù)，使性能、能效和質(zhì)量都達到新的水平，同時(shí)與上一代IGBT共享兼容的封裝尺寸。一個(gè)整合的柱狀鰭片底板可直接進(jìn)行液體冷卻，并易于封裝，從而達到最大的功率輸出和更高效的散熱。