第三代半導(dǎo)體材料主要包括以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶Ⅳ族化合物以及寬禁帶氧化物，具備擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。為助力中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展提質(zhì)增效，更好地整合國(guó)內(nèi)外第三代半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢(shì)資源，實(shí)現(xiàn)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)迅速崛起。在科技部、發(fā)改委、工信部及北京政府等相關(guān)部門大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)主辦的2017國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）將于2017年11月1-3日在北京首都機(jī)場(chǎng)希爾頓酒店召開。其中，作為論壇的重要組成部分，“碳化硅材料與器件分會(huì)”將涵蓋SiC襯底、同質(zhì)外延和電力電子器件技術(shù)。分會(huì)廣泛征集優(yōu)秀研究成果，將邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名專家參加本次會(huì)議，充分展示碳化硅材料及電力電子器件技術(shù)的最新進(jìn)展。碳化硅（SIC）被半導(dǎo)體界公認(rèn)為“一種未來的材料”，是新世紀(jì)有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽?dǎo)體材料。預(yù)計(jì)在今后5～10年將會(huì)快速發(fā)展和有顯著成果出現(xiàn)。促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅（SI）材料的負(fù)載量已到達(dá)極限，以硅作為基片的半導(dǎo)體器件性能和能力極限已無可突破的空間。