碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)勢和應用
碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結勢壘肖特基二極管結構（JBS），因此相比于傳統的硅快恢復二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復特性。可以有效降低反向漏電流，具備更好的耐高壓能力。另一個(gè)重要的特點(diǎn)是碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數，隨著(zhù)溫度的上升電阻也逐漸上升，這與硅FRD正好相反。這使得碳化硅肖特基二極管非常適合并聯(lián)實(shí)用，增加了系統的安全性和可靠性。在器件從正向導通向反向阻斷轉換時(shí)，幾乎沒(méi)有反向恢復電流，反向恢復時(shí)間小于20ns，甚至600V10A的碳化硅肖特基二極管的反向恢復時(shí)間在10ns以?xún)取Ｒ虼颂蓟栊ぬ鼗O管可以工作在更高的頻率，在相同頻率下具有更高的效率。
碳化硅肖特基二極管的主要特點(diǎn)和優(yōu)勢，可概況如下：
1.幾乎無(wú)開(kāi)關(guān)損耗；
2.更高的開(kāi)關(guān)頻率；
3.更高的效率；
4.更高的工作溫度；
5.正的溫度系數，適合于并聯(lián)工作；
6.開(kāi)關(guān)特性幾乎與溫度無(wú)關(guān)。
正由于碳化硅肖特基二極管具有以上這些特性，被廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域。在PFC電路中用碳化硅SBD取代原來(lái)的硅FRD，可使電路工作在300kHz以上，效率基本保持不變，而相比下使用硅FRD的電路在100kHz以上的效率急劇下降。隨著(zhù)工作頻率的提高，電感等無(wú)源原件的體積相應下降，整個(gè)電路板的體積下降30%以上。可顯著(zhù)減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。
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