碳化硅作為第三代半導體材料的主要代表之一，其技術(shù)發(fā)展也至關(guān)重要。雖然國內碳化硅的技術(shù)水平與國外有所差距，但國內企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導電型碳化硅襯底領(lǐng)域均已實(shí)現部分國產(chǎn)替代，8英寸晶圓也在研制過(guò)程中，國產(chǎn)替代進(jìn)程講持續突破。

碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測試四個(gè)部分，分別占市場(chǎng)總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長(cháng)過(guò)程繁瑣，晶圓切割困難等特點(diǎn)，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質(zhì)量襯底的應用主要集中于WolfSpeed、II-VI、ROHM三大供應商，CR3市場(chǎng)占有率達到80%以上，國內廠(chǎng)商為代表的襯底廠(chǎng)商的產(chǎn)品良率、品質(zhì)和生產(chǎn)效率還有一定差距，碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿(mǎn)足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求，當前碳化硅襯底已應用于射頻器件及功率器件，隨著(zhù)下游需求爆發(fā)，2022-2026年SiC器件的市場(chǎng)規模將從43億美元提升到89億美元，年復合增長(cháng)率為20%。