Microchip推出3.3kV碳化硅(SiC)功率器件
近期，Microchip宣布擴展其SiC產(chǎn)品組合，推出業(yè)界最低導通電阻[RDS(on)]3.3kVSiCMOSFET和最高額定電流SiCSBD。
Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁LeonGross表示：我們新的3.3kVSiC功率產(chǎn)品系列使客戶(hù)能夠輕松、快速、自信地轉向高壓SiC，并受益于這種令人興奮的技術(shù)相對于基于硅設計的諸多優(yōu)勢。”
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