金蒙新材料碳化硅半導體的新時(shí)代來(lái)臨
碳化硅性能上的增長(cháng)，純硅功率晶體管有著(zhù)令人羨慕的成績(jì)，然而，對于高要求的功率開(kāi)關(guān)和控制的應用上，它似乎已經(jīng)到達了它的極限。
碳化硅（SiC），作為一種新型半導體材料，具有潛碳化硅的優(yōu)點(diǎn)：更小的體積、更有效率、完全去除開(kāi)關(guān)損耗、低漏極電流、比標準半導體（純硅半導體）更高的開(kāi)關(guān)頻率以及碳化硅標準的125℃結溫以上工作的能力。小型化和高工作耐溫使得這些器件的使用更加自如，甚至可以將這些器件直接置于電機的外殼內。
任何一種新技術(shù)都會(huì )經(jīng)歷由發(fā)展到成熟的過(guò)程，SiC也不例外。標準功率開(kāi)關(guān)，如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），有很大的產(chǎn)品基礎和優(yōu)化的生產(chǎn)技術(shù)。而SiC卻需要投入大量經(jīng)費和研發(fā)資金來(lái)解決材料問(wèn)題和完善半導體制造技術(shù)。然而這種功率開(kāi)關(guān)器件，能夠碳化硅正向導通大電流和反向截止千伏電壓之間快速執行開(kāi)關(guān)動(dòng)作，這樣的性能是值得一試的。
金蒙碳化硅微粉最初的成功應用和主要應用發(fā)光二極管，用于汽車(chē)頭燈和儀表盤(pán)其他照明場(chǎng)合。其他的市場(chǎng)包括開(kāi)關(guān)電源和肖特基勢壘二極管。將來(lái)會(huì )應用到包括混合動(dòng)力車(chē)輛、功率轉換器（用于減小有源前置濾波器的體積）和交流/直流電機控制上。這些更高要求的應用還沒(méi)有商業(yè)化，因為它們需要高質(zhì)量的材料和大規模的生產(chǎn)力來(lái)降低成本。碳化硅全世界范圍內，大量的研究經(jīng)費投入到了公司、實(shí)驗室和政府設施，以使SiC技術(shù)更加可行。一些專(zhuān)家預言，SiC技術(shù)的商業(yè)化、工業(yè)化甚至軍工應用將碳化硅2到5年或者更遠的時(shí)間內變成現實(shí)。
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