據(jù)粉體圈消息：8月18日，位于哈爾濱新區(qū)，投資10億元建設(shè)的科友第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項目一期正式投產(chǎn)，預(yù)計年底全部達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)能10萬片6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)能力。

據(jù)悉，哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司（科友半導(dǎo)體）成立于2018年，是一家專注于第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制造、器件設(shè)計、技術(shù)轉(zhuǎn)移和科研成果轉(zhuǎn)化的國家級高新技術(shù)企業(yè)。去年7月，科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項目正式開工建設(shè)。主要建設(shè)中俄第三代半導(dǎo)體研究院、中外聯(lián)合技術(shù)創(chuàng)新中心、科友半導(dǎo)體襯底制備中心、科友半導(dǎo)體高端裝備制造中心、國際孵化基地、科友半導(dǎo)體產(chǎn)品檢驗檢測中心、人工寶石展覽館等項目。項目全部達產(chǎn)后，最終形成年產(chǎn)高導(dǎo)晶片近10萬片，高純半絕緣晶體1000公斤的產(chǎn)能；PVT-SIC晶體生長成套設(shè)備年產(chǎn)銷200臺套。

科友半導(dǎo)體研制的碳化硅感應(yīng)長晶爐已實現(xiàn)99%的部件國產(chǎn)化替代，電阻式長晶爐也具備投產(chǎn)條件。在碳化硅晶體生長方面，科友半導(dǎo)體在6英寸碳化硅單晶厚度上突破32毫米，達到國內(nèi)領(lǐng)先。同時，在長晶周期、生產(chǎn)成本、晶體良率等方面已經(jīng)達到并保持國際同行業(yè)先進水平。按照企業(yè)發(fā)展規(guī)劃，未來兩年科友半導(dǎo)體將實現(xiàn)年產(chǎn)20萬-30萬片碳化硅襯底的產(chǎn)能，成為全球碳化硅襯底重要供應(yīng)商之一。